Органичните светоизлъчващи диоди (ОСД) (OLED – organic light-emitting diode) са многообещаващи за широк кръг от приложения. Технологията на ОСД се основава на феномена, при който определени органични вещества излъчват светлина, когато са захранени с електрически ток и това вече се използва в дисплеите на малките електронни устройства: мобилни телефони, MP3 просвирвачи (плейъри) цифрови камери и фоторамки и някои телевизори. С по-ефективни и евтини технологии са ОСД би била възможна направата на свръхтънки, много ярки и пестеливи на захранване ОСД телевизори, прозорци, които биха могли да се използват като осветителни тела през нощта и като широкомащабни органични фотоелементи, източници на електрическа енергия. За разлика от обикновените светодиоди (LED), излъчващият електролуминисцентен слой на ОСД се състои от тънък слои от органични съединения. Това, което прави ОСД-и толкова привлекателни е това, че те не се нуждаят от източник на светлина за да действат и затова се нуждаят от по-малко ел. енергия. Също така, тъй като те са по-тънки, те могат да бъдат отпечатани на почти всякаква подложка.

 Въпреки това екситонното гасене и фотонните загуби все още ограничават коефициента на полезно действие на ОСД. Органичните светоизлъчващи транзистори (ОСТ) (Organic light-emitting transistors, OLETs) са алтернативни планарни светлинни източници, комбиниращи в една и съща архитектура, превключващия механизъм на тънкослоен транзистор и на електролуминисцентно устройство. Затова ОСТ-и могат да отворят нова ера в органичната оптоелектроника и да служат като опитни площадки за решаването на общите фундаментални оптоелектронни и фотонни въпроси.

 "ОСТ е нова светоизлъчваща концепция, осигуряваща планарни светлинни източници, които могат лесно да бъдат интегрирани в подложки от различен тип - силиций, стъкло, пластмаси, хартия и други, използвайки стандартни микроелектронни технологии", казва Микеле Муцини (Michele Muccini), изследовател в института за наноструктурни материали в Болоня, Италия (Institute of Nanostructured Materials (ISMN), Bologna, Italy) "Фокусът на развитие на ОСТ е възможността за нови технологии са дисплеи/светлинни източници и използването на преносна геометрия за подтискане на вредните фотонни загуби и екситонно гасене, присъщи на архитектурата на ОСД"

 Мотивирани от нуждата да разкрият пълния потенциал на полевите транзистори като фотонна технологична платформа, Муцини и неговият екип показват че ОСТ-и позволяват контрола върху гасенето и електродно-предизвиканите фотонни загуби в органично светоизлъчващо устройство. Тези фундаментални процеси са тези, които все още ограничават ефективността и яркостта на ОСД.

 Структурата на активната зона на ОСТ се състои от три органически слоя. Долният слой е съставен от полупроводник с електронна проводимост, n-тип, а горният е съставен от полупроводник с дупчеста проводимост, p-тип. Средният слой е източника на фотони. Общата дебелина на всички слоеве е 62 nm.

 Трислойната структура осигурява висок КПД. По данни на създателите, ефективността на ОСТ е 100 пъти по голяма от тази на ОСД, оптимизиран ОСД със същия светлоизлъчващ слой - 2 пъти, кои да е друг ОСТ - 10 пъти.

 Предполага се технологията за ОСТ може да се използва не само за дисплеи, но и за оптични съединения в интегралните схеми.

 Източници: Nature Materials, http://www.nature.com/nmat/journal/vaop/ncurrent/abs/nmat2751.html Nanowerk http://www.nanowerk.com/spotlight/spotid=16162.php